【廣州★洋奕】在銷售德國HBM U2AD1/1T稱重傳感器。囑咐叮嚀，千言萬語，卻留不住，你曾是少年，有過來路心田已坎坷。便想到了靈魂，除用一份真摯的素語，去演繹出一顆，人心的赤誠以外，也就只剩下，三言兩語間的蒼白，可共我們寄托于，蔚藍的天空。也曾有過遠方遙不可及的“夢想
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不同類型的半導體，載荷施加的方向不同，壓阻效應也不同。目前使用多的是單晶硅半導體，單晶硅半導體的晶向如圖2．17所示。對予P型單晶硅半導體，當應力沿[111]晶軸方向時，可得到大的壓阻效應；對于N型單晶硅半導體，當應力沿[100]方向時，可得到大的壓阻效應。制作半導體應變片時，沿所需的晶軸方向從硅錠上切出一小條，作為應變片的電阻材料(敏感柵)。
2．3．2壓阻系數(shù)
對半導體材料而言，電阻的相對變化近似等于電阻率的相對變化，而電阻率的相對 變化與應力成正比，比例系數(shù)就是壓阻系數(shù)，即
單晶硅的壓阻系數(shù)矩陣為
多向應力作用在單晶硅上，由于壓阻效應，硅晶體的電阻率變化，會引起電阻發(fā)生 變化。在正交坐標系中，坐標軸與晶軸*時，有
式中，σl--壓阻元件縱向應力；
σt--壓阻元件橫向應力；
σs--壓阻元件與田，訴垂直方向上的應力； πl、πt、πs——σl、σt、σs相對應的壓阻系數(shù)； πl——應力作用方向與通過壓阻元件的電流方向*時的壓阻系數(shù)，
πt——應力作用方向與通過壓阻元件的電流方向垂直時的壓阻系數(shù)。
當坐標軸與晶軸方向有偏離時，考慮到πsσs,一般擴散深度為幾微米，垂直應力較 小可忽略。因此，電阻的相對變化量可由下式計算
其中πl、πt的值可由以下代數(shù)式計算，即
式中，l1、m1、n1——壓阻元件縱向應力相對于立方晶軸X、y、Z的方向余弦l
l2、m2、n2——壓阻元件橫向應力相對于立方晶軸X、y、Z的方向余弦l
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程師和科學家快速構建各種應用所需的所有工具，旨在幫助工程師和科學家解決問題、提高生產(chǎn)力和不斷創(chuàng)新。是目前上編澤型圖形化編程語言。其編寫的程序稱為虛擬儀器程序(簡稱V I) ，主要包括前面板(即人機界面) 和框圖程序兩部分。前面板用于模擬真實儀器的面板作，可設置輸入數(shù)值、觀察輸出值及實現(xiàn)圖表、波形、文本等顯示?？驁D程序應用圖形編程語言編寫，相當于傳統(tǒng)程序的源代碼．用于傳送前面板輸入的命令參數(shù)到儀器以執(zhí)行相應的操作。La b V IE W 采用層次化結構．用戶可以把創(chuàng)建的V I 程序當作子程序調(diào)用。以創(chuàng)建更復雜的程序。用它編寫方框圖程序時，只需從對應的模塊中選用相應的圖標．然后再以線條相互連接。即可實現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸。該測試儀就是借助
La b V IE W ．仿照真實儀器面板設計前面板．并通過La b V IE W 中的D A Q 助手及有關功能模塊，編寫框圖程序。測試儀主要功能為脈搏信號的采集及數(shù)據(jù)存儲和對采集存儲的信號進行回放分析。根據(jù)此要求，在hb VIE W 前面板窗口中，選取有關控件及波形顯示器件．并借助L a b V I E W 的工具模版，設計、架構測試儀前面板；在對應的框圖程序窗LI ．通過DA Q 助手進行有關采集參數(shù)的設置．通過Wri t e Lab V IE W Me a su r em en t 模塊實現(xiàn)對信號的保存．它將信號波形以數(shù)據(jù)點的形式存放于文件中．文件的擴展名為l v m 。整個采集、顯示過程由循環(huán)結構控制．選擇A pp en d to fil e 就可以將每個循環(huán)采集到的數(shù)據(jù)連成為長達40 s的完整過程記錄。同放部分是通過R e a d fro m sD r e ad sh e et fi l e 模塊讀取文件路徑框中給出的存放數(shù)據(jù)文件來實現(xiàn)波形的回放．以采樣頻率128 Hz 、采樣長
度40 s為設定值。借助有關運算模塊．進行脈率的測算。從而在測試儀前面板上實現(xiàn)脈搏波形的采集、數(shù)據(jù)存儲、波形回放、頻譜分析、脈率顯示、異常情況警示等功能。
德國HBM 稱重傳感器
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浮華一生，書一筆;清寡薄衣，承蒙不棄。書兩筆;淡云流水，不問歸期。書三筆;桃花百里，竹馬相依。書四筆;江上閑棋，共話黃昏。等到內(nèi)心足夠澄澈，也就自然而然能，擁一份平和可貴的心態(tài)，得之坦然，失之淡然，于目光，于生活。
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