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IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

參考價(jià) 508000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)E系列
  • 所  在  地武漢市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2022/2/15 14:32:43
  • 訪問次數(shù)668
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食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng)采購(gòu)部電話:13777369734

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是 食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng) 上看到的信息,謝謝!

 武漢普賽斯儀表公司成立于2019年,是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司。坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),擁有以碩士、博士為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。

普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測(cè)試系統(tǒng)等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定yi解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

普賽斯儀表:www.whpssins.com

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心,追求可持續(xù)發(fā)展,精益求精,堅(jiān)持不懈,努力將自身打造成。

源表,數(shù)字源表,源測(cè)單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,脈沖LIV,脈沖恒流源,脈沖光功率測(cè)量,激光脈沖電流源
CW 高達(dá)3000V/100mA 最小分辨率 30uV/10pA
測(cè)量精度 0.1%
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

IGBT簡(jiǎn)介:

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”,被國(guó)家列為重點(diǎn)研究對(duì)象。


IGBT測(cè)試難點(diǎn):

1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。


IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。


那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢?

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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E300高電壓源測(cè)單元


HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測(cè)試。

背景圖.jpg

HCPL100型高電流脈沖電源


P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

脈沖源表背景1.jpg

P系列脈沖源表

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJTIGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

  • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

  • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

  • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);

  • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

  • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

  • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

  • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

  • 可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā);

     

    技術(shù)指標(biāo)


IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用


     功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;



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