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SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)HUSTEC-160
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2024/4/15 16:19:01
訪問(wèn)次數(shù)115

產(chǎn)品標(biāo)簽:

SiC器件測(cè)試儀 SiC器件測(cè)試設(shè)備 SiC器件測(cè)試系統(tǒng)

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深圳市華科智源科技有限公司，是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)，坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，功率循環(huán)，雪崩及浪涌測(cè)試設(shè)備，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等，客戶行業(yè)涉及軌道交通，地鐵，電驅(qū)動(dòng)，新能源汽車(chē)，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，家電等領(lǐng)域；華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)，復(fù)旦大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專(zhuān)家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

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igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，10us浪涌電流測(cè)試儀，分立器件測(cè)試儀，柵極電阻/電容測(cè)試儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

設(shè)備尺寸	500（寬）x?450（深）x?250（高）mm	質(zhì)量	30kg
海拔高度	海拔不超過(guò)?1000m	儲(chǔ)存環(huán)境	-20℃～50℃
工作環(huán)境	15℃～40℃	相對(duì)濕度	20%RH?~?85%RH
大氣壓力	86Kpa～?106Kpa	防護(hù)	無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求	AC220V，±10%	電網(wǎng)頻率	50Hz±1Hz

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)，測(cè)試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試，軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車(chē) ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)測(cè)試參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用

1) 物理規(guī)格