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東莞市茶山鑫鵬五金電子廠
閱讀:398發(fā)布時間:2015-1-19
濕腐蝕蝕刻網(wǎng)zui普遍、也是設備成本zui低的蝕刻方法。其影響被蝕刻物之蝕刻速率的因素有三:蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 之有無。定性而言,增加蝕刻溫度與加入攪拌,均能有效提高蝕刻速率;但濃度之影響則較不明確。舉例來說,以49%的HF蝕刻SiO2,當然比BOE (Buffered-Oxide- Etch;HF:NH4F =1:6) 快的多;但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢!濕蝕刻的配方選用是一項化學的專業(yè),對于一般不是這方面的研究人員,必須向該化學專業(yè)的同儕請教。一個選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity),意指進行蝕刻時,對被蝕物去除速度與連帶對其他材質 (如蝕刻掩膜;etching mask,或承載被加工薄膜之基板;substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的蝕刻系統(tǒng),應該只對被加工薄膜有腐蝕作用,而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。
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