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    零頂空萃取器提取樣品，初始提取速率，可以通過分析物的擴(kuò)散來控制通過樣品基質(zhì)和頂空之間的邊界層，達(dá)頂部空間，因為被快速運(yùn)輸?shù)教崛‰A段氣相中的高擴(kuò)散系數(shù)，為了增加樣品中分析物的運(yùn)輸矩陣進(jìn)入頂空，可以設(shè)計成產(chǎn)生大樣本頂空界面。

    可以通過使用具有良好攪拌，只有揮發(fā)性分析物通過頂部空間傳輸，對于低揮發(fā)性化合物，加熱樣品是一種好方法，最合適的在這種情況下，在冷卻提取階段的同時加熱樣品。頂部空間的對流，由于系統(tǒng)中存在的溫度梯度，分析物的集合可以在同一個樣品中進(jìn)行，也可以在空間中分離。提取相樣品基質(zhì)分布常數(shù)的顯著增強(qiáng)由于系統(tǒng)中的溫差，頂空方法在分析中也是有利的復(fù)雜基質(zhì)，存在相關(guān)的不利影響消除了可能導(dǎo)致提取階段結(jié)垢的干擾。

    優(yōu)化提取過程，可以產(chǎn)生更好的優(yōu)化性能策略，例如在異質(zhì)樣品中，固體結(jié)合分析物從樣品基質(zhì)中，釋放出來化學(xué)吸附逆轉(zhuǎn)，控制提取率，可以改變提取參數(shù)以提高提取率，例如化學(xué)吸附的分析物的解離，可以通過高溫來實現(xiàn)催化劑，這些應(yīng)用的實例包括高溫超臨界流體的開發(fā)萃取，隨后進(jìn)行熱溶劑萃取方法和微波提取，在樣品基質(zhì)提取相界面聚焦更多選擇性能量。通過催化性能，可以應(yīng)用更溫和的條件提取添加劑，然而需要更多的研究來深入了解分析物。

    這種同步策略提取，如果提取速率受到基質(zhì)孔隙中分析物的質(zhì)量傳遞的控制。通過合成聚合物材料的樣品基質(zhì)控制提取，在在這種情況下，膨脹基質(zhì)和升高溫度將導(dǎo)致擴(kuò)散系數(shù)增加，因此提高了提取率。提取時間隨著萃取相樣品分布常數(shù)的增加和體積的增加，也會增加提取階段，但隨著毛細(xì)管空隙體積的增加而減少，批量技術(shù)涉及由流過管引起的。最成功的方法是在界面之間形成的邊界層樣品基質(zhì)和提取階段，隨著與萃取相表面的距離增加。在提取過程中，邊界層厚度對于不同的分析物會有所不同，嚴(yán)格地說，邊界層是作為提取的區(qū)域接近相，分析物更依賴于擴(kuò)散而不是對流。

文章來源：上海靳瀾儀器制造有限公司