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行業(yè)產(chǎn)品

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武漢普賽斯儀表有限公司


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半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試

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參   考   價(jià): 508000

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)PMST-3000V

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地武漢市

聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2022-02-15 14:45:38瀏覽次數(shù):426次

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經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:26條

所在地區(qū):湖北武漢市

聯(lián)系人:陶女士 (銷(xiāo)售專(zhuān)員)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
CW? 高達(dá)3000V/100mA 最小分辨率? 30uV/10pA
測(cè)量精度 0.1%    

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。


那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢?

E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線(xiàn)電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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E300高電壓源測(cè)單元


HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試。

背景圖.jpg

HCPL100型高電流脈沖電源


P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

脈沖源表背景1.jpg

P系列脈沖源表

半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試簡(jiǎn)介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

  • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

  • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

  • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶(hù)快速配置測(cè)試參數(shù);

  • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

  • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

  • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

  • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

  • 可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶(hù)測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā);

    技術(shù)指標(biāo)


半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)測(cè)試應(yīng)用


    功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;





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