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濕腐蝕蝕刻網(wǎng)zui普遍、也是設(shè)備成本zui低的蝕刻方法。其影響被蝕刻物之蝕刻速率的因素有三:蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌 之有無。定性而言,增加蝕刻溫度與加入攪拌,均能有效提高蝕刻速率;但濃度之影響則較不明確。舉例來說,以49%的HF蝕刻SiO2,當(dāng)然比BOE (Buffered-Oxide- Etch;HF:NH4F =1:6) 快的多;但40%的KOH蝕刻Si的速率卻比20%KOH慢!濕蝕刻的配方選用是一項(xiàng)化學(xué)的專業(yè),對(duì)于一般不是這方面的研究人員,必須向該化學(xué)專業(yè)的同儕請(qǐng)教。一個(gè)選用濕蝕刻配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity),意指進(jìn)行蝕刻時(shí),對(duì)被蝕物去除速度與連帶對(duì)其他材質(zhì) (如蝕刻掩膜;etching mask,或承載被加工薄膜之基板;substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個(gè)具有高選擇性的蝕刻系統(tǒng),應(yīng)該只對(duì)被加工薄膜有腐蝕作用,而不傷及一旁之蝕刻掩膜或其下的基板材料。
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